ส่งข้อความ
บ้าน ผลิตภัณฑ์ซีเนอร์ไดโอด

1N5244B 1N5242B 1N5239B ซีเนอร์ไดโอด 9.1V 10V 11V 12V 13V 14V DO 35

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

1N5244B 1N5242B 1N5239B ซีเนอร์ไดโอด 9.1V 10V 11V 12V 13V 14V DO 35

1N5244B 1N5242B 1N5239B ซีเนอร์ไดโอด 9.1V 10V 11V 12V 13V 14V DO 35
1N5244B 1N5242B 1N5239B ซีเนอร์ไดโอด 9.1V 10V 11V 12V 13V 14V DO 35 1N5244B 1N5242B 1N5239B ซีเนอร์ไดโอด 9.1V 10V 11V 12V 13V 14V DO 35 1N5244B 1N5242B 1N5239B ซีเนอร์ไดโอด 9.1V 10V 11V 12V 13V 14V DO 35 1N5244B 1N5242B 1N5239B ซีเนอร์ไดโอด 9.1V 10V 11V 12V 13V 14V DO 35 1N5244B 1N5242B 1N5239B ซีเนอร์ไดโอด 9.1V 10V 11V 12V 13V 14V DO 35

ภาพใหญ่ :  1N5244B 1N5242B 1N5239B ซีเนอร์ไดโอด 9.1V 10V 11V 12V 13V 14V DO 35

รายละเอียดสินค้า:
สถานที่กำเนิด: ประเทศจีน
ชื่อแบรนด์: trusTec
ได้รับการรับรอง: ROHS
หมายเลขรุ่น: 1N5239B
การชำระเงิน:
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5K พีซี
ราคา: Negotiable (EXW/FOB/CNF)
รายละเอียดการบรรจุ: 5K PCS ต่อเทปและกล่อง 100K PCS ต่อกล่อง
เวลาการส่งมอบ: สินค้าสด 10 วันทำการ
เงื่อนไขการชำระเงิน: T / T
สามารถในการผลิต: 800KK PCS ต่อเดือน

1N5244B 1N5242B 1N5239B ซีเนอร์ไดโอด 9.1V 10V 11V 12V 13V 14V DO 35

ลักษณะ
ประเภทแพ็คเกจ: ผ่านรู ประเภท: ซีเนอร์ไดโอด
บรรจุภัณฑ์: DO-35 แก้ว อำนาจ: 500mW
แรงดันไฟฟ้า: 9.1V ส่วนจำนวน: 1N5239B
บรรจุภัณฑ์: เทปและกล่อง (TB) การรั่วไหลย้อนกลับ: 3μA
แสงสูง:

1N5239B ซีเนอร์ไดโอด 9.1V 10V

,

1N5244B ซีเนอร์ไดโอด 9.1V

,

1N5243B ซีเนอร์ไดโอด 9.1V 10V

ซีเนอร์ไดโอด DO-35 9.1V 10V 11V 12V 13V 14V 1N5239B 1N5240B 1N5241B 1N5242B 1N5243B 1N5244B
1N5221B ถึง 1N5267B
ไดโอดซีเนอร์แก้ว
แรงดันไฟซีเนอร์: 2.4-75 โวลต์ กำลังพัลส์สูงสุด: 500 mW
เป็นไปตามมาตรฐาน RoHS
 
0.5W 2.4V Silicon Zener Diode 1N5221B 1N5222B 1N5223B 1N5224B 1N5225B 1N5226B 0
คุณสมบัติ
 
การรั่วไหลย้อนกลับต่ำ
ความต้านทานซีเนอร์ต่ำ
การกระจายพลังงาน 500mW
ความเสถียรสูงและความน่าเชื่อถือสูง
 
ข้อมูลเครื่องกล
 
เคส: เคสแก้ว DO-35
ขั้ว: แถบสีหมายถึงปลายแคโทด
ตำแหน่งการติดตั้ง: Any
 
คะแนนสูงสุดและลักษณะทางไฟฟ้า
 
พารามิเตอร์
สัญลักษณ์ ความคุ้มค่า หน่วย
การสูญเสียพลังงาน
Pd 500 1) มิลลิวัตต์
อุณหภูมิทางแยกการทำงาน
Tj 200
ช่วงอุณหภูมิในการจัดเก็บ
Tstg -65 +200

 

การให้คะแนนที่อุณหภูมิแวดล้อม 25 องศาเซลเซียส เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น
1) ใช้ได้โดยมีเงื่อนไขว่าลีดถูกเก็บไว้ที่อุณหภูมิแวดล้อมที่ระยะห่าง 8 มม. จากเคส
 
ลักษณะไฟฟ้า
 
ประเภท วีแซด(วี) ZZT(Ω) ZZK(Ω) อินฟราเรด(uA)
น. เอ็มใน เอ็มขวาน ผมZ(มิลลิแอมป์) เอ็มขวาน ผมZT(มิลลิแอมป์) เอ็มขวาน ผมZK(มิลลิแอมป์) เอ็มขวาน วีR(วี)
1N5221B 2.4 2.280 2.520 20.0 30.0 20.0 1200 0.25 100.0 1.0
1N5222B 2.5 2.375 2.625 20.0 30.0 20.0 1250 0.25 100.0 1.0
1N5223B 2.7 2.565 2.835 20.0 30.0 20.0 1300 0.25 75 1.0
1N5224B 2.8 2.660 2.940 20.0 30.0 20.0 1400 0.25 75 1.0
1N5225B 3 2.850 3.150 20.0 29.0 20.0 1600 0.25 50 1.0
1N5226B 3.3 3.135 3.465 20.0 28.0 20.0 1600 0.25 25 1.0
1N5227B 3.6 3.420 3.780 20.0 24.0 20.0 1700 0.25 15 1.0
1N5228B 3.9 3.705 4.095 20.0 23.0 20.0 1900 0.25 10 1.0
1N5229B 4.3 4.085 4.515 20.0 22.0 20.0 2000 0.25 5.0 1.0
1N5230B 4.7 4.465 4.935 20.0 19.0 20.0 1900 0.25 5.0 2.0
1N5231B 5.1 4.845 5.355 20.0 17.0 20.0 1600 0.25 5.0 2.0
1N5232B 5.6 5.320 5.880 20.0 11.0 20.0 1600 0.25 5.0 3.0
1N5233B 6 5.700 6.300 20.0 7.0 20.0 1600 0.25 5.0 3.5
1N5234B 6.2 5.890 6.510 20.0 7.0 20.0 1000 0.25 5.0 4.0
1N5235B 6.8 6.460 7.140 20.0 5.0 20.0 750 0.25 3.0 5.0
1N5236B 7.5 7.125 7.875 20.0 6.0 20.0 500 0.25 3 6.0
1N5237B 8.2 7.790 8.610 20.0 8.0 20.0 500 0.25 3 6.5
1N5238B 8.7 8.265 9.135 20.0 8.0 20.0 600 0.25 3 6.5
1N5239B 9.1 8.645 9.555 20.0 10.0 20.0 600 0.25 3 7.0
1N5240B 10 9.500 10.500 20.0 17.0 20.0 600 0.25 3 8.0
1N5241B 11 10.450 11.550 20.0 22.0 20.0 600 0.25 2 8.4
1N5242B 12 11.400 12.600 20.0 30.0 20.0 600 0.25 1 9.1
1N5243B 13 12.350 13.650 9.5 13.0 9.5 600 0.25 0.5 9.9
1N5244B 14 13.300 14.700 9.0 15.0 9.0 600 0.25 0.1 10.0
1N5245B 15 14.250 15.750 8.5 16.0 8.5 600 0.25 0.1 11.0
1N5246B 16 15.200 16.800 7.8 17.0 7.8 600 0.25 0.1 12.0
1N5247B 17 16.150 17.850 7.4 19.0 7.4 600 0.25 0.1 13.0
1N5248B 18 17.100 18.900 7.0 21.0 7.0 600 0.25 0.1 14.0
1N5249B 19 18.050 19.950 6.6 23.0 6.6 600 0.25 0.1 14.0
1N5250B 20 19.000 21.000 6.2 25.0 6.2 600 0.25 0.1 15.0
1N5251B 22 20.900 23.100 5.6 29.0 5.6 600 0.25 0.1 17.0
1N5252B 24 22.800 25.200 5.2 33.0 5.2 600 0.25 0.1 18.0
1N5253B 25 23.750 26.250 5.0 35.0 5.0 600 0.25 0.1 19.0
1N5254B 27 25.650 28.350 4.6 41.0 4.6 600 0.25 0.1 21.0
1N5255B 28 26.600 29.400 4.5 44.0 4.5 600 0.25 0.1 21.0
1N5256B 30 28.500 31.500 4.2 49.0 4.2 600 0.25 0.1 23.0
1N5257B 33 31.350 34.650 3.8 58.0 3.8 700 0.25 0.1 25.0
1N5258B 36 34.200 37.800 3.4 70.0 3.4 700 0.25 0.1 27.0
1N5259B 39 37.50 40.950 3.2 80.0 3.2 800 0.25 0.1 30.0
1N5260B 43 40.850 45.150 3.0 93.0 3.0 900 0.25 0.1 33.0
1N5261B 47 44.650 49.350 2.7 105.0 2.7 1000 0.25 0.1 36.0
1N5262B 51 48.450 53.550 2.5 125.0 2.5 1100 0.25 0.1 39.0
1N5263B 56 53.200 58.800 2.2 150.0 2.2 1300 0.25 0.1 43.0
1N5264B 60 57.000 63.000 2.1 170 2.1 1400 0.25 0.1 46.0
1N5265B 62 58.900 65.100 2.0 185.0 2.0 1400 0.25 0.1 47.0
1N5266B 68 64.600 71.400 1.8 230.0 1.8 1600 0.25 0.1 52.0
1N5267B 75 71.250 78.750 1.7 270.0 1.7 1700 0.25 0.1 56.0

 

หมายเหตุ: 1) Zener Impedance มาจากแรงดันไฟฟ้ากระแสสลับ 60 Hz ซึ่งส่งผลให้กระแสไฟ AC มีค่า RMS เท่ากับ 10% ของกระแส Zener (IZT หรือ IZK) ซ้อนทับบน IZT หรือ IZKZener Impedance วัดที่จุดสองจุดเพื่อประกันเข่าที่แหลมบนเส้นโค้งพังทลายและเพื่อขจัดหน่วยที่ไม่เสถียร
2) ความทนทานต่อแรงดันไฟฟ้าซีเนอร์มาตรฐานคือ± 20%เพิ่มส่วนต่อท้าย "A" สำหรับค่าความคลาดเคลื่อนที่ ±10% คำต่อท้าย "B" สำหรับค่าเผื่อ ±5 คำต่อท้าย "C" สำหรับค่าความคลาดเคลื่อน ±2% ค่าความเผื่ออื่นๆ ค่าแรงดันไฟซีเนอร์ที่ไม่ได้มาตรฐานและสูงกว่า
3)ใช้ได้โดยมีเงื่อนไขว่าตะกั่วที่ระยะห่างจากเคส 8 มม. จะถูกเก็บไว้ที่อุณหภูมิแวดล้อม
4) วัดภายใต้สภาวะสมดุลทางความร้อนและสภาวะการทดสอบกระแสตรง
5) ทดสอบด้วยพัลส์ tp = 20 ms
6) VF(สูงสุด)=1.10V@ IF=200mA
 
การจัดอันดับและเส้นโค้งลักษณะ
 
0.5W 2.4V Silicon Zener Diode 1N5221B 1N5222B 1N5223B 1N5224B 1N5225B 1N5226B 1

รายละเอียดการติดต่อ
Changzhou Trustec Company Limited

ผู้ติดต่อ: Ms. Selena Chai

โทร: +86-13961191626

แฟกซ์: 86-519-85109398

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง (0 / 3000)

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ